SQ7415AEN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQ7415AEN
   Código: Q014
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 53 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK1212-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQ7415AEN

SQ7415AEN Datasheet (PDF)

..1. Size:560K vishay
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SQ7415AENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 60 PowerPAK PackageRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.065- Low Thermal Resistance, RthJC RDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.090- Low 1.07 mm ProfileID (A) - 16 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 100 % R

0.1. Size:180K vishay
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SQ7415AENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8WRDS(on) () at VGS = -10 V 0.065package with 1.07 mm profileRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.090 AEC-Q101 qualifiedID (A) -16 Wettable flank terminalsConfiguration Singl

8.1. Size:550K vishay
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SQ7415ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 60 PowerPAK PackageRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.065- Low Thermal Resistance, RthJC RDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.110- Low 1.07 mm ProfileID (A) - 5.7 Fast SwitchingConfiguration Single AEC-Q101 Qualified

9.1. Size:614K vishay
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SQ7414AENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) () at VGS = 10 V 0.026package with 1.07 mm profileRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.036 PWM optimizedID (A) 16 100 % Rg and UIS testedConfiguration Single AEC-

9.2. Size:229K vishay
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SQ7414CENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFETDD8 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 DD77DD66package with 1.07 mm profile55 PWM optimized 100 % Rg and UIS tested AEC-Q101 qualified1122 Wettable flank terminalsSS3

9.3. Size:210K vishay
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SQ7414AENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) () at VGS = 10 V 0.023package with 1.07 mm profileRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.028 PWM optimizedID (A) 18 100 % Rg and UIS testedConfiguration Single AEC

9.4. Size:547K vishay
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SQ7414ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 Low Thermal Resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) () at VGS = 10 V 0.025Package with 1.07 mm ProfileRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.036 PWM OptimizedID (A) 5.6 AEC-Q101 QualifiedConfiguration Single 100 % R

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: