SQ9945BEY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ9945BEY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SQ9945BEY datasheet

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SQ9945BEY

SQ9945BEY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.064 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.082 Material categorization ID (A) per leg 6 For definitions of compliance please see Configuratio

 0.1. Size:911K  cn vbsemi
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SQ9945BEY

SQ9945BEY-T1-GE3 www.VBsemi.tw Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.040 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.055 ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D2 D1 D2 D2 5 D1 6 D1 7 8 G1 G2 4 G2 3 3 S1 S2 S2 S2 2 2 G G1 1 1 N-Channel MOSFET N

 8.1. Size:114K  vishay
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SQ9945BEY

SQ9945AEY Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 Pb-free Package with Low Thermal Resistance Available RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.080 RoHS* ID (A) 3.7 AEC-Q101 RELIABILITY COMPLIANT Configuration Dual Passed all AEC-Q101 Reliability Testing D2 D1 Characterization O

Otros transistores... SQ7002K, SQ7414AEN, SQ7414AENW, SQ7414EN, SQ7415AEN, SQ7415AENW, SQ7415EN, SQ9407EY, CS150N03A8, SQA410EJ, SQD07N25-350H, SQD100N03-3M2L, SQD100N03-3M4, SQD100N04-3M6, SQD100N04-3M6L, SQD10N30-330H, SQD15N06-42L