SQ9945BEY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQ9945BEY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQ9945BEY

SQ9945BEY Datasheet (PDF)

..1. Size:248K vishay
sq9945bey.pdf

SQ9945BEYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.064 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.082 Material categorization:ID (A) per leg 6For definitions of compliance please see Configuratio

0.1. Size:911K cn vbsemi
sq9945bey-t1-ge3.pdf

SQ9945BEY-T1-GE3www.VBsemi.twDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N

8.1. Size:114K vishay
sq9945ae.pdf

SQ9945AEYVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60Pb-free Package with Low Thermal ResistanceAvailableRDS(on) () at VGS = 10 V 0.080RoHS*ID (A) 3.7AEC-Q101 RELIABILITYCOMPLIANTConfiguration Dual Passed all AEC-Q101 Reliability TestingD2D1 Characterization O

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Liste

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