SQD100N03-3M2L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQD100N03-3M2L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 921 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de SQD100N03-3M2L MOSFET
SQD100N03-3M2L Datasheet (PDF)
sqd100n03-3m2l.pdf

SQD100N03-3m2Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY 100 % Rg and UIS TestedVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0032 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0039For definitions of compliance please seeID (A) 100www.vishay.com/doc?
sqd100n03-3m4.pdf

SQD100N03-3m4www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0034 AEC-Q101 QualifieddID (A) 100 Material categorization:Configuration SingleFor definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TO-2
sqd100n04-3m6.pdf

SQD100N04-3m6www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0036 100 % Rg and UIS TestedID (A) 100 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single Material categorization:TO-252For definitions of compli
sqd100n04-3m6l.pdf

SQD100N04-3m6Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0036 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0042 AEC-Q101 qualified dID (A) 100Configuration Single Material categorization:
Otros transistores... SQ7414EN , SQ7415AEN , SQ7415AENW , SQ7415EN , SQ9407EY , SQ9945BEY , SQA410EJ , SQD07N25-350H , 20N50 , SQD100N03-3M4 , SQD100N04-3M6 , SQD100N04-3M6L , SQD10N30-330H , SQD15N06-42L , SQD19P06-60L , SQD23N06-31L , SQD25N06-22L .
History: AP2304GN-HF | SQ9407EY | HM4806B | SIHP25N40D | SIHP23N60E
History: AP2304GN-HF | SQ9407EY | HM4806B | SIHP25N40D | SIHP23N60E



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH1566AKQ | JMSH1566AK | JMSH1566AG | JMSH1565AUS | JMSH1565APS | JMSH1565AKSQ | JMSH1565AKS | JMSH1565AGS | JMSH1552PU | JMSH1552PP | JMSH1552PK | JMSH1552PG | JMSH1552AU | JMSH1552AP | JMSH1552AK | JMSH1552AG
Popular searches
ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60