SQD100N03-3M4 Todos los transistores

 

SQD100N03-3M4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQD100N03-3M4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 942 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SQD100N03-3M4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  vishay
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SQD100N03-3M4

SQD100N03-3m4www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0034 AEC-Q101 QualifieddID (A) 100 Material categorization:Configuration SingleFor definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TO-2

 2.1. Size:152K  vishay
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SQD100N03-3M4

SQD100N03-3m2Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY 100 % Rg and UIS TestedVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0032 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0039For definitions of compliance please seeID (A) 100www.vishay.com/doc?

 6.1. Size:152K  vishay
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SQD100N03-3M4

SQD100N04-3m6www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0036 100 % Rg and UIS TestedID (A) 100 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single Material categorization:TO-252For definitions of compli

 6.2. Size:183K  vishay
 sqd100n04-3m6l.pdf pdf_icon

SQD100N03-3M4

SQD100N04-3m6Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0036 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0042 AEC-Q101 qualified dID (A) 100Configuration Single Material categorization:

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History: NCEP11N10AK | BSS84KR

 

 
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