SQD25N15-52 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQD25N15-52
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 107 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 25 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 34 nC
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 215 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.052 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQD25N15-52
SQD25N15-52 Datasheet (PDF)
sqd25n15-52.pdf
SQD25N15-52www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 150 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.052 100 % Rg and UIS TestedID (A) 25 AEC-Q101 QualifiedConfiguration Single Material categorization:DTO-252For definitions of compli
sqd25n15.pdf
SQD25N15-52Vishay SiliconixAutomotiveN-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 150DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.052 TrenchFET Power MOSFETID (A) 25 Package with Low Thermal ResistanceConfiguration Single AEC-Q101 QualifieddDTO-252 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
sqd25n06-22l.pdf
SQD25N06-22Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.022 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.033 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 25 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single
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