SQD25N15-52 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQD25N15-52

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm

Encapsulados: TO-252

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SQD25N15-52 datasheet

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SQD25N15-52

SQD25N15-52 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 150 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.052 100 % Rg and UIS Tested ID (A) 25 AEC-Q101 Qualified Configuration Single Material categorization D TO-252 For definitions of compli

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SQD25N15-52

SQD25N15-52 Vishay Siliconix Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 150 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.052 TrenchFET Power MOSFET ID (A) 25 Package with Low Thermal Resistance Configuration Single AEC-Q101 Qualifiedd D TO-252 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

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SQD25N15-52

SQD25N06-22L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.022 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.033 Package with Low Thermal Resistance ID (A) 25 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single

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