SQD50N04-3M5L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQD50N04-3M5L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 85 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQD50N04-3M5L

SQD50N04-3M5L Datasheet (PDF)

..1. Size:174K vishay
sqd50n04-3m5l.pdf

SQD50N04-3m5Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0035 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0042 100 % Rg and UIS TestedID (A) 50 Material categorization:Configuration SingleF

5.1. Size:166K vishay
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SQD50N04-09Hwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.009 TrenchFET Power MOSFETID (A) 50 Package with Low Thermal ResistanceConfiguration Single 100 % Rg and UIS TestedD AEC-Q101 QualifieddTO-252

5.2. Size:158K vishay
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SQD50N04-5m6www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0056 AEC-Q101 QualifiedID (A) 50 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:Configuration SingleFor definitions of compliance please se

5.3. Size:167K vishay
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SQD50N04-4m5Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0035 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0042 100 % Rg and UIS TestedID (A) 50 Material categorization:Configuration Single

5.4. Size:166K vishay
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SQD50N04-5m0Vishay SiliconixAutomotiveN-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.005 TrenchFET Power MOSFETID (A) 50 Package with Low Thermal ResistanceConfiguration Single AEC-Q101 QualifieddD Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-252

5.5. Size:170K vishay
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SQD50N04-4m1www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0041 AEC-Q101 QualifieddID (A) 50 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Material categorization:For definitions of compliance please s

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Liste

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