SQJ848AEP Todos los transistores

 

SQJ848AEP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQJ848AEP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0076 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8L
 

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SQJ848AEP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  vishay
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SQJ848AEP

SQJ848AEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0076 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0086 Material categorization:ID (A) 24For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww

 8.1. Size:190K  vishay
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SQJ848AEP

SQJ848EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0075 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0120 Material categorization:ID (A) 47For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.v

 9.1. Size:220K  vishay
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SQJ848AEP

SQJ844AEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0166 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0276 Material categorization:ID (A) per leg 8for definitions of compliance pleaseConfiguration Dual

 9.2. Size:151K  vishay
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SQJ848AEP

SQJ844EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 30DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.024 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.037 AEC-Q101 QualifieddID (A) per leg 8 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Dual Compliant

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History: CS4N80P | RU1H130Q | CS4N70D | AM2398N

 

 
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