SQJ858AEP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQJ858AEP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8L
Búsqueda de reemplazo de SQJ858AEP MOSFET
SQJ858AEP Datasheet (PDF)
sqj858aep.pdf
SQJ858AEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0063 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0075 Material categorization:ID (A) 58For definitions of compliance please see Configuration Single
sqj858ep.pdf
SQJ858EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.006 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.009 Material categorization:ID (A) 75For definitions of compliance please see Configuration Singlewww
sqj850ep.pdf
SQJ850EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.023 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.032 AEC-Q101 QualifieddID (A) 24 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS
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History: CEM73A3G | IXFK140N20P | 2N5397 | CEM3060 | SQJ963EP | STD7NK40ZT4 | VBZFB40N03
History: CEM73A3G | IXFK140N20P | 2N5397 | CEM3060 | SQJ963EP | STD7NK40ZT4 | VBZFB40N03
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