SQJ858EP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQJ858EP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8L

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SQJ858EP datasheet

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SQJ858EP

SQJ858EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.006 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.009 Material categorization ID (A) 75 For definitions of compliance please see Configuration Single www

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SQJ858AEP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0063 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0075 Material categorization ID (A) 58 For definitions of compliance please see Configuration Single

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SQJ858EP

SQJ850EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.023 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.032 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 24 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Compliant to RoHS

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