SQJ858EP Todos los transistores

 

SQJ858EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQJ858EP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8L
 

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SQJ858EP Datasheet (PDF)

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SQJ858EP

SQJ858EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.006 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.009 Material categorization:ID (A) 75For definitions of compliance please see Configuration Singlewww

 8.1. Size:169K  vishay
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SQJ858EP

SQJ858AEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0063 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0075 Material categorization:ID (A) 58For definitions of compliance please see Configuration Single

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SQJ858EP

SQJ850EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.023 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.032 AEC-Q101 QualifieddID (A) 24 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS

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History: TK32E12N1 | STW150NF55 | 2SK3527-01 | NCEP020N85

 

 
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