SQS405ENW Todos los transistores

 

SQS405ENW MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQS405ENW
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 840 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK1212-8
 

 Búsqueda de reemplazo de SQS405ENW MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SQS405ENW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  vishay
 sqs405enw.pdf pdf_icon

SQS405ENW

SQS405ENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -12 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.020 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -2.5 V 0.026 Wettable flank terminalsID (A) -16Configuration Single Material categorization:for definitio

 6.1. Size:553K  vishay
 sqs405en.pdf pdf_icon

SQS405ENW

SQS405ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 12 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.020 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 2.5 V 0.026ID (A) - 16 Material categorization:For definitions of compliance please see Configuration Si

 9.1. Size:557K  vishay
 sqs400en.pdf pdf_icon

SQS405ENW

SQS400ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.018 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.032 AEC-Q101 QualifieddID (A) 16 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoH

 9.2. Size:214K  vishay
 sqs401enw.pdf pdf_icon

SQS405ENW

SQS401ENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = -10 V 0.029 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.047 Material categorization: ID (A) -16for definitions of compliance please seeConfiguration Singlew

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SQJ980AEP , SQJ980EP , SQJ992EP , SQJQ402E , SQS400EN , SQS401EN , SQS404EN , SQS405EN , 4N60 , SQS420EN , SQS423EN , SQS460EN , SQS462EN , SQS464EEN , SQS466EEN , SQS482EN , SQS484EN .

History: AP4501GSD | AM2319 | CHT870GP | VBM165R02 | IRHNJ67434 | FQD2N80TM | IPB08CNE8NG

 

 
Back to Top

 


 
.