SRC7N65DTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SRC7N65DTR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 474 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.572 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SRC7N65DTR

SRC7N65DTR Datasheet (PDF)

7.1. Size:512K sanrise-tech
src7n65.pdf

Datasheet 7A, 650V, Super Junction N-Channel Power MOSFET SRC7N65General Description Symbol The Sanrise SRC7N65 is a high voltage power MOSFET, fabricated using advanced super junction technology. The resulting device has extremely low on resistance and fast switching time, making it especially suitable forapplications which require superior power density and outstanding effic

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: