SRM20N65TF Todos los transistores

 

SRM20N65TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SRM20N65TF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 318 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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SRM20N65TF Datasheet (PDF)

 6.1. Size:251K  sanrise-tech
 srm20n65.pdf pdf_icon

SRM20N65TF

Datasheet 20A, 650V, N-Channel Power MOSFET SRM20N65General Description Symbol The Sanrise SRM20N65 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance. Sanrise SRM20N65 break down voltage rating is 650V and it has a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at hi

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History: SPA07N60CFD | IXFH400N075T2 | IPI084N06L3G | IRFY9130CM | SRC7N65D1 | FS10SM-10 | IPU50R3K0CE

 

 
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