IXTH15N35MB Todos los transistores

 

IXTH15N35MB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTH15N35MB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

 Búsqueda de reemplazo de IXTH15N35MB MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXTH15N35MB Datasheet (PDF)

 7.1. Size:148K  ixys
ixth15n70.pdf pdf_icon

IXTH15N35MB

IXTH15N70 PCB24IXTH 15N70 VDSS = 700 VMegaMOSTMFET ID (cont) = 15 ARDS(on) = 0.45 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 700 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 700 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 T

 7.2. Size:316K  ixys
ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdf pdf_icon

IXTH15N35MB

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

Otros transistores... IXTH12N50MA , IXTH12N50MB , IXTH12N90 , IXTH13N110 , IXTH13N80 , IXTH14N100 , IXTH14N80 , IXTH15N35MA , HY1906P , IXTH15N40MA , IXTH15N40MB , IXTH15N60 , IXTH20M60MB , IXTH20N55MA , IXTH20N55MB , IXTH20N60 , IXTH20N60MA .

History: BUK555-100B | CS830FA9RD | BUZ60B

 

 
Back to Top

 


 
.