SUD45P03-10 Todos los transistores

 

SUD45P03-10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUD45P03-10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 375 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TO-252

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SUD45P03-10 datasheet

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SUD45P03-10

SUD45P03-10 Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S), MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a RoHS 0.010 at VGS = - 10 V - 15 COMPLIANT - 30 0.018 at VGS = - 4.5 V - 12 S TO-252 G Drain Connected to Tab G D S D Top View P-Channel MOSFET Ordering Information SUD45P03-10-E3 (Lead (Pb)-free) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA

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SUD45P03-10

SUD45P03-15A New Product Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A)a 0.015 @ VGS = 10 V 15 30 30 0.024 @ VGS = 4.5 V 12 S TO-252 G Drain Connected to Tab G D S Top View Order Number D SUD45P03-15A P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol Limit Unit Drain-So

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SUD45P03-10

SUD45P03-15 Siliconix P-Channel 30-V (D-S), 150_C MOSFET Product Summary VDS (V) rDS(on) (W) ID (A)a 0.015 @ VGS = 10 V "13 30 30 0.024 @ VGS = 4.5 V "8 S TO-252 G Drain Connected to Tab G D S Top View Order Number D SUD45P03-15 P-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings (TA = 25_C Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 30

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SUD45P03-10

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History: JBE084M | BF999 | IRF7342QPBF | SUD09P10-195 | BML6401 | JCS10N60BT | 4N65L-TF1-T

 

 

 

 

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