SUD45P03-15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUD45P03-15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUD45P03-15

SUD45P03-15 Datasheet (PDF)

..1. Size:64K vishay
sud45p03-15.pdf

SUD45P03-15SiliconixP-Channel 30-V (D-S), 150_C MOSFETProduct SummaryVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)a0.015 @ VGS = 10 V "1330300.024 @ VGS = 4.5 V "8STO-252GDrain Connected to TabG D STop ViewOrder Number: DSUD45P03-15P-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings (TA = 25_C Unless Otherwise Noted)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 30

0.1. Size:77K vishay
sud45p03-15a.pdf

SUD45P03-15ANew ProductVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)a0.015 @ VGS = 10 V 1530300.024 @ VGS = 4.5 V 12STO-252GDrain Connected to TabG D STop ViewOrder Number: DSUD45P03-15AP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-So

4.1. Size:140K vishay
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SUD45P03-10Vishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S), MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) ()ID (A)aRoHS 0.010 at VGS = - 10 V - 15COMPLIANT - 300.018 at VGS = - 4.5 V - 12STO-252GDrain Connected to TabG D SDTop ViewP-Channel MOSFETOrdering Information: SUD45P03-10-E3 (Lead (Pb)-free)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA

5.1. Size:166K vishay
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SUD45P03-09Vishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0087 at VGS = - 10 V- 45d TrenchFET Power MOSFET- 30 600.0150 at VGS = - 4.5 V - 32 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Switch

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: