SUM47N10-24L Todos los transistores

 

SUM47N10-24L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUM47N10-24L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
     - Selección de transistores por parámetros

 

SUM47N10-24L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  vishay
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SUM47N10-24L

SUM47N10-24LVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction TemperatureRoHS0.024 at VGS = 10 V 47100 COMPLIANT 100 % Rg Tested0.027 at VGS = 4.5 V 44DTO-263GG D STop ViewSOrdering Information: SUM47N10-24L-E3 (Lead (Pb)-free) N-Channel M

 6.1. Size:155K  vishay
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SUM47N10-24L

SUM47N10-24LVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction TemperatureRoHS0.024 at VGS = 10 V 47100 COMPLIANT 100 % Rg Tested0.027 at VGS = 4.5 V 44DTO-263GG D STop ViewSOrdering Information: SUM47N10-24L-E3 (Lead (Pb)-free) N-Channel M

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History: FTK5N80DD | CSD85312Q3E | BUK7616-55A | AP98T03GP-HF

 

 
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