SUM70N03-09CP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUM70N03-09CP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 93 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 31 nC
   Tiempo de subida (tr): 80 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 410 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUM70N03-09CP

SUM70N03-09CP Datasheet (PDF)

..1. Size:67K vishay
sum70n03-09cp.pdf

SUM70N03-09CPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S), 175_C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETD Optimized for High- or Low-SideV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)D New Low Thermal Resistance Package0.0095 @ VGS = 20 V 70D 100% Rg Tested30300.014 @ VGS = 4.5 V 58APPLICATIONSD DC/DC ConvertersD Synchronous RectifiersDTO-263DRAIN connected to TAB

7.1. Size:162K vishay
sum70n04-07l.pdf

SUM70N04-07LVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.0074 at VGS = 10 V70aRoHS*40 Low Threshold0.011 at VGS = 4.5 V COMPLIANT67APPLICATIONS Motor ControlDTO-263GG D SSTop ViewOrdering Information: SUM70N

9.1. Size:190K vishay
sum70060e.pdf

SUM70060Ewww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.0056 at VGS = 10 V 131100 53.5 nC 100 % Rg and UIS tested0.0062 at VGS = 7.5 V 129 Material categorization:for definitions of compliance please see TO-263

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Liste

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