SUM75N06-09L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUM75N06-09L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 47 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0093 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUM75N06-09L

SUM75N06-09L Datasheet (PDF)

..1. Size:159K vishay
sum75n06-09l.pdf

SUM75N06-09LVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.0093 at VGS = 10 V90RoHS*600.0135 at VGS = 4.5 V62 COMPLIANTDTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewSOrdering Information: SUM75N06-09L-E3 (Lead (Pb)-free) N-

7.1. Size:61K vishay
sum75n04.pdf

SUM75N04-05LNew ProductVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S), 175_C MOSFET, Logic LevelFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A) Qg (Typ)D 175_C Maximum Junction Temperature0.005 @ VGS = 10 V 75aD 100% Rg Tested40 13040 1300.006 @ VGS = 4.5 V 75aDTO-263GG D STop ViewSOrdering Information: SUM75N04-05L E3N-Channel

8.1. Size:167K vishay
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SUM75N15-18PVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.018 at VGS = 10 V RoHS15075d 64COMPLIANT APPLICATIONS Primary Side Switch Power SuppliesD TO-263G G D STop ViewS Ordering Information: SUM75N15-18P-E3 (Lead (Pb)-free

8.2. Size:167K vishay
sum75n15-18p.pdf

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Liste

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