SUM85N03-06P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUM85N03-06P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 48 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 565 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUM85N03-06P

SUM85N03-06P Datasheet (PDF)

..1. Size:67K vishay
sum85n03-06p sum85n03.pdf

SUM85N03-06PVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) 175_C MOSFETFEATURESD TrenchFETr Power MOSFETPRODUCT SUMMARYD 175_C Junction TemperatureD PWM Optimized for High EfficiencyV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)D New Package with Low Thermal Resistance0.006 @ VGS = 10 V 85D 100% Rg Tested30300.009 @ VGS = 4.5 V 77APPLICATIONSD Buck ConverterD - High Side- Low SideT

..2. Size:1489K cn vbsemi
sum85n03-06p.pdf

SUM85N03-06Pwww.VBsemi.twN-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 30 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0075 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0095ID (A) 70Configuration SinglePackage TO-220AB/ TO-263TO-220AB DTO-263GSG D SN-Channel MOSFETG D S

8.1. Size:69K vishay
sum85n15-19.pdf

SUM85N15-19Vishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) 175_C MOSFETFEATURESD TrenchFETr Power MOSFETD 175_C Junction TemperaturePRODUCT SUMMARYD New Low Thermal Resistance PackageV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)D 100% Rg Tested150 0.019 @ VGS = 10 V 85 aAPPLICATIONSD Primary Side SwitchD AutomotiveD- 42-V EPS and ABS- DC/DC Conversion- Motor DrivesTO-263GG D S

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: