SUP50N03-5M1P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUP50N03-5M1P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 44 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 641 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0051 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUP50N03-5M1P

SUP50N03-5M1P Datasheet (PDF)

..1. Size:178K vishay
sup50n03-5m1p.pdf

SUP50N03-5m1PVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0051 at VGS = 10 V50d TrenchFET Power MOSFET30 21.70.0063 at VGS = 4.5 V50d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Supply- Seco

6.1. Size:177K vishay
sup50n03.pdf

8.1. Size:118K vishay
sup50n10-21p.pdf

SUP50N10-21PVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. Qg (Typ.)ID (A) 100 % Rg and UIS Tested0.021 at VGS = 10 V Material categorization:50dFor definitions of compliance please see 100 0.023 at VGS = 8 V 30.2 nC49.7www.vishay.com/doc?999120.028 at VGS = 6 V45APPLICATIONS

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Liste

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