SUP53P06-20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUP53P06-20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 76 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUP53P06-20

SUP53P06-20 Datasheet (PDF)

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sup53p06-20.pdf

SUP53P06-20Vishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.0195 at VGS = - 10 V - 53 Material categorization:- 60 76 nCFor definitions of compliance please see0.0250 at VGS = - 4.5 V - 42www.vishay.com/doc?99912TO-220ABAPPLICATIONSS Load Switch

6.1. Size:189K vishay
sup53p06.pdf

New ProductSUP53P06-20Vishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS TestedRoHS0.0195 at VGS = - 10 V - 53COMPLIANT - 60 76 nC0.025 at VGS = - 4.5 V - 42APPLICATIONS Load SwitchTO-220AB SGDRAIN connected to TAB G D S DTop View P-Channel MOSFET

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: