SUP90N08-6M8P Todos los transistores

 

SUP90N08-6M8P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUP90N08-6M8P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 272 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 517 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

 Búsqueda de reemplazo de SUP90N08-6M8P MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SUP90N08-6M8P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  vishay
sup90n08-6m8p.pdf pdf_icon

SUP90N08-6M8P

SUP90N08-6m8PVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction Temperature75 0.0068 at VGS = 10 V RoHS90d 75 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Supply- Secondary Synchronous RectificationTO-220

 5.1. Size:156K  vishay
sup90n08-4m8p.pdf pdf_icon

SUP90N08-6M8P

SUP90N08-4m8PVishay SiliconixN-Channel 75 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction TemperatureRoHSCOMPLIANT 0.0048 at VGS = 10 V 100 % UIS Tested90d75 1050.006 at VGS = 8 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC90dAPPLICATIONS Power Supply- Half-BridgeTO-220AB- S

 5.2. Size:180K  vishay
sup90n08-8m2p.pdf pdf_icon

SUP90N08-6M8P

SUP90N08-8m2PVishay SiliconixN-Channel 75 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature75 0.0082 at VGS = 10 V 100 % Rg and UIS Tested90d 58 Material categorization:For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912TO-220AB APPLICATIONS Power S

 5.3. Size:176K  vishay
sup90n08-7m7p.pdf pdf_icon

SUP90N08-6M8P

SUP90N08-7m7PVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0077 at VGS = 10 V75 RoHS90d 69COMPLIANTAPPLICATIONS Synchronous RectificationTO-220ABD DRAIN connected to TABG G D STop ViewS Ordering Information: SUP90N08-7m7P-E3 (Lead (P

Otros transistores... SUP85N10-10 , SUP85N10-10P , SUP85N15-21 , SUP90N03-03 , SUP90N04-3M3P , SUP90N06-5M0P , SUP90N06-6M0P , SUP90N08-4M8P , IRF630 , SUP90N08-7M7P , SUP90N08-8M2P , SUP90N10-8M8P , SUP90N15-18P , SUP90P06-09L , SUU09N10-76P , SUU10P10-195 , SUV85N10-10 .

History: UPA2351BT1P | TPCA8036-H | KI2321DS | 2SK2231 | 2SK2539 | IPD50N04S4-08 | IPD220N06L3G

 

 
Back to Top

 


 
.