SUP90N08-7M7P Todos los transistores

 

SUP90N08-7M7P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUP90N08-7M7P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0077 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

 Búsqueda de reemplazo de SUP90N08-7M7P MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SUP90N08-7M7P datasheet

 ..1. Size:176K  vishay
 sup90n08-7m7p.pdf pdf_icon

SUP90N08-7M7P

SUP90N08-7m7P Vishay Siliconix N-Channel 75-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0077 at VGS = 10 V 75 RoHS 90d 69 COMPLIANT APPLICATIONS Synchronous Rectification TO-220AB D DRAIN connected to TAB G G D S Top View S Ordering Information SUP90N08-7m7P-E3 (Lead (P

 5.1. Size:172K  vishay
 sup90n08-6m8p.pdf pdf_icon

SUP90N08-7M7P

SUP90N08-6m8P Vishay Siliconix N-Channel 75-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction Temperature 75 0.0068 at VGS = 10 V RoHS 90d 75 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Power Supply - Secondary Synchronous Rectification TO-220

 5.2. Size:156K  vishay
 sup90n08-4m8p.pdf pdf_icon

SUP90N08-7M7P

SUP90N08-4m8P Vishay Siliconix N-Channel 75 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature RoHS COMPLIANT 0.0048 at VGS = 10 V 100 % UIS Tested 90d 75 105 0.006 at VGS = 8 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 90d APPLICATIONS Power Supply - Half-Bridge TO-220AB - S

 5.3. Size:180K  vishay
 sup90n08-8m2p.pdf pdf_icon

SUP90N08-7M7P

SUP90N08-8m2P Vishay Siliconix N-Channel 75 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature 75 0.0082 at VGS = 10 V 100 % Rg and UIS Tested 90d 58 Material categorization For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TO-220AB APPLICATIONS Power S

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SUP85N10-10P, SUP85N15-21, SUP90N03-03, SUP90N04-3M3P, SUP90N06-5M0P, SUP90N06-6M0P, SUP90N08-4M8P, SUP90N08-6M8P, IRFP260N, SUP90N08-8M2P, SUP90N10-8M8P, SUP90N15-18P, SUP90P06-09L, SUU09N10-76P, SUU10P10-195, SUV85N10-10, SM1105NSK

 

 

 

 

↑ Back to Top
.