SM1105NSUB Todos los transistores

 

SM1105NSUB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM1105NSUB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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SM1105NSUB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  sino
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SM1105NSUB

SM1105NSUBN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/16A,RDS(ON)= 100m (max.) @ VGS=10VSRDS(ON)= 170m (max.) @ VGS=4.5VDG ESD ProtectedTop View of TO-251 Reliable and RuggedD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)GApplications Power Management in TV Inverter.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage

 6.1. Size:265K  sino
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SM1105NSUB

SM1105NSVN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/3.5A, RDS(ON)= 105m (max.) @ VGS= 10VG RDS(ON)= 175m (max.) @ VGS= 4.5VDS ESD proteced Reliable and RuggedTop View SOT-223 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)DApplications Power Management in TV Inverter.GSN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Co

 6.2. Size:262K  sino
 sm1105nsk.pdf pdf_icon

SM1105NSUB

SM1105NSK N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDDDD 100V/3.5A, RDS(ON)= 105m (max.) @ VGS= 10V RDS(ON)= 175m (max.) @ VGS= 4.5V SSS ESD protecedG Reliable and RuggedTop View of SOP-8 Lead Free and Green Devices Available( 5,6,7,8 ) (RoHS Compliant)D D D DApplications Power Management in TV Inverter. (4)GS S S(1, 2, 3)N-Chan

 9.1. Size:101K  taiwansemi
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SM1105NSUB

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History: IRF4104SPBF

 

 
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