SM1110NSA Todos los transistores

 

SM1110NSA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM1110NSA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: SOT-23-3

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SM1110NSA datasheet

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SM1110NSA

SM1110NSA N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 100V/1.7A , D RDS(ON)=200m (max.) @ VGS=10V S RDS(ON)=235m (max.) @ VGS=4.5V G ESD Protected Reliable and Rugged Top View of SOT-23-3 Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) Applications G Power Management in TV Inveter. S N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information SM1110NS

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SM1110NSA

SM1110NSC N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 100V/1.7A , S D RDS(ON)=200m (max.) @ VGS=10V D G RDS(ON)=235m (max.) @ VGS=4.5V D D ESD Protected Top View of SOT-23-6 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (1,2,5,6) (RoHS Compliant) DDDD Applications (3)G Power Management in TV Inverter. DC/DC Converter. (4)S N-Channel M

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