SM1A01NSF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM1A01NSF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 37 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM1A01NSF

SM1A01NSF Datasheet (PDF)

..1. Size:235K sino
sm1a01nsf.pdf

SM1A01NSFN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/53A,RDS(ON)=22m (max.) @ VGS=10V Reliable and RuggedSD Lead Free and Green Devices AvailableG(RoHS Compliant)Top View of TO-220DApplications Power Management in TV Inverter.GSN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeSM1A01NS F : TO-220Assembly MaterialOper

0.1. Size:138K sino
sm1a01nsfp.pdf

SM1A01NSFPN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/25A,RDS(ON)=22m (max.) @ VGS=10V Reliable and RuggedSDG Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant) Top View of TO-220FPDApplicationsG Converter Application in LED TV.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeSM1A01NS FP : TO-220FPAssembly Mat

6.1. Size:545K sino
sm1a01nsu.pdf

SM1A01NSU N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/35A,D RDS(ON)=25m (Max.) @ VGS=10VS RDS(ON)=40m (Max.) @ VGS=5VG Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of TO-252-3(RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management in TV Converter. DC-DC Converter.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking Info

7.1. Size:139K sino
sm1a01nfs.pdf

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Liste

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