MMN8205 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMN8205
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13.36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86.85 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Encapsulados: SOT-23-6 TSSOP-8
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MMN8205 datasheet
mmn8205.pdf
MMN8205 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.0A = 38m RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@5.0A = 30m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 28m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion batter
mmn8218.pdf
MMN8218 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 68m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.5A = 38m RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.5A = 30m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 28m RDS(ON), Vgs@10V, Ids@6.0A = 25m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Res
mmn8220.pdf
MMN8220 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2A = 50m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 40m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.6A = 30m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for Li ion battery pack applications TSSOP-08 Internal Schema
Otros transistores... MMN55N03, MMN60NF06, MMN65N03, MMN6680, MMN6968E, MMN7230, MMN7402, MMN75N03, TK10A60D, MMN8218, MMN8220, MMN8804, MMN8818E, MMN8818N, MMN8822, MMN9926, MMN9926BDY
History: AM90N06-16P | DMP1055UFDB
🌐 : EN ES РУ
Liste
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