MMN8205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MMN8205
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 4.81 nC
   Tiempo de subida (tr): 13.36 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 86.85 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-6 TSSOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMN8205

MMN8205 Datasheet (PDF)

..1. Size:213K m-mos
mmn8205.pdf

MMN8205Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.0A = 38mRDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@5.0A = 30mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 28mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing capabilityIdeal for Li ion batter

9.1. Size:213K m-mos
mmn8218.pdf

MMN8218Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 68mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.5A = 38mRDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.5A = 30mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 28mRDS(ON), Vgs@10V, Ids@6.0A = 25mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-Res

9.2. Size:140K m-mos
mmn8220.pdf

MMN8220Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2A = 50mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 40mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.6A = 30mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceIdeal for Li ion battery pack applicationsTSSOP-08 Internal Schema

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