MMN8205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMN8205
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13.36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86.85 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23-6 TSSOP-8
- Selección de transistores por parámetros
MMN8205 Datasheet (PDF)
mmn8205.pdf

MMN8205Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.0A = 38mRDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@5.0A = 30mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 28mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing capabilityIdeal for Li ion batter
mmn8218.pdf

MMN8218Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 68mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.5A = 38mRDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.5A = 30mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 28mRDS(ON), Vgs@10V, Ids@6.0A = 25mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-Res
mmn8220.pdf

MMN8220Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2A = 50mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 40mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.6A = 30mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceIdeal for Li ion battery pack applicationsTSSOP-08 Internal Schema
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: CSD16342Q5A | SPP80P06PH | IRFPC42R | SIHF9540S | HGP290N10SL | HITJ0203MP | 2SJ280S
History: CSD16342Q5A | SPP80P06PH | IRFPC42R | SIHF9540S | HGP290N10SL | HITJ0203MP | 2SJ280S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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