MMN8218 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMN8218

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.998 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63.85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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MMN8218 datasheet

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MMN8218

MMN8218 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 68m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.5A = 38m RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.5A = 30m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 28m RDS(ON), Vgs@10V, Ids@6.0A = 25m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Res

 9.1. Size:140K  m-mos
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MMN8218

MMN8220 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2A = 50m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 40m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.6A = 30m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for Li ion battery pack applications TSSOP-08 Internal Schema

 9.2. Size:213K  m-mos
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MMN8218

MMN8205 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.0A = 38m RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@5.0A = 30m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 28m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion batter

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