MMN8804 Todos los transistores

 

MMN8804 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMN8804
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 800.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183.88 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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MMN8804 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  m-mos
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MMN8804

MMN8804Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20V ID= 8A ESD Protected Gate: 2000VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@8A = 13mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5A = 14mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4A = 19mRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@3A = 27mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Po

 9.1. Size:204K  m-mos
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MMN8804

MMN8818EData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30V ID= 7A ESD Protected Geat: 2000VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@7A = 18mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5A = 20mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4A = 27mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing capability

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MMN8804

MMN8818NPackage Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30V ID= 7A ESD Protected Gate: 2000VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@7A = 18mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5A = 20mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4A = 27mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing cap

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MMN8804

MMN8822Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@7A = 21mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.6A = 24mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 32mRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2A = 50mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceIdeal for Li ion battery pack application

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History: BRCS200P03DP | NTMFS4823NT1G | CS50N80 | AOW15S60 | MIC94050YM4TR | SIHFBE30 | STY130NF20D

 

 
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