MMN9926E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMN9926E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 960 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 111.49 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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MMN9926E datasheet

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MMN9926E

MMN9926E Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V ID= 8A ESD Protected Gate 2000V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@8A = 21m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@7A = 25m RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@6A = 33m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Specially Designed for Li ion battery pac

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MMN9926E

MMN9926 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6A = 30m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.2A = 40m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications TSSOP-08 SO-8 Internal Sche

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MMN9926E

MMN9926BDY Preliminary Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@8.2A = 20m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.3A = 30m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications TSSOP-08 S

Otros transistores... MMN8218, MMN8220, MMN8804, MMN8818E, MMN8818N, MMN8822, MMN9926, MMN9926BDY, RFP50N06, MMP2301, MMP2311, MMP2323, MMP3401, MMP3415E, MMP3443, MMP4353, MMP4357