MMP6965 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMP6965
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 15.34 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 9.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200.71 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMP6965
MMP6965 Datasheet (PDF)
mmp6965.pdf
MMP6965Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.2A = 35mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 60mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceIdeal for battery multiplexing applicationsTSSOP-8 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MO
mmp6967.pdf
MMP6967Preliminary Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited8V Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -8VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-5.0A = 30mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-4.0A = 45mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-3.0A = 70mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceIdeal for battery multiplexing applicationsTSSOP-8
mmp6975.pdf
MMP6975Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited12V Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -12VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.6A = 27mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-3.8A = 35mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-3.0A = 46mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceIdeal for battery multiplexing applicationsTSSOP-8 Internal
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