MMP6965 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MMP6965
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 9.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200.71 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMP6965

MMP6965 Datasheet (PDF)

..1. Size:149K m-mos
mmp6965.pdf

MMP6965Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.2A = 35mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 60mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceIdeal for battery multiplexing applicationsTSSOP-8 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MO

8.1. Size:149K m-mos
mmp6967.pdf

MMP6967Preliminary Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited8V Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -8VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-5.0A = 30mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-4.0A = 45mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-3.0A = 70mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceIdeal for battery multiplexing applicationsTSSOP-8

9.1. Size:149K m-mos
mmp6975.pdf

MMP6975Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited12V Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -12VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.6A = 27mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-3.8A = 35mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-3.0A = 46mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceIdeal for battery multiplexing applicationsTSSOP-8 Internal

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