MMP6967 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMP6967

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 8 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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MMP6967 datasheet

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MMP6967

MMP6967 Preliminary Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 8V Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -8V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-5.0A = 30m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-4.0A = 45m RDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-3.0A = 70m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for battery multiplexing applications TSSOP-8

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MMP6967

MMP6965 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -20V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.2A = 35m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 60m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for battery multiplexing applications TSSOP-8 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MO

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MMP6967

MMP6975 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 12V Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -12V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.6A = 27m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-3.8A = 35m RDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-3.0A = 46m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for battery multiplexing applications TSSOP-8 Internal

Otros transistores... MMP60R290PTH, MMP60R360PTH, MMP60R580PTH, MMP60R750PTH, MMP6463, MMP6465, MMP65R190PTH, MMP6965, AOD4184A, MMP6975, MMP7245, MMP7277, MMP7401, MMP9435, MMP9435BDY, MMP9567, MMQ60R070PTH