MMP6975 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMP6975

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 561.48 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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MMP6975 datasheet

 ..1. Size:149K  m-mos
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MMP6975

MMP6975 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 12V Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -12V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.6A = 27m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-3.8A = 35m RDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-3.0A = 46m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for battery multiplexing applications TSSOP-8 Internal

 9.1. Size:149K  m-mos
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MMP6975

MMP6965 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -20V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.2A = 35m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 60m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for battery multiplexing applications TSSOP-8 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MO

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MMP6975

MMP6967 Preliminary Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 8V Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -8V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-5.0A = 30m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-4.0A = 45m RDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-3.0A = 70m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for battery multiplexing applications TSSOP-8

Otros transistores... MMP60R360PTH, MMP60R580PTH, MMP60R750PTH, MMP6463, MMP6465, MMP65R190PTH, MMP6965, MMP6967, AO4407A, MMP7245, MMP7277, MMP7401, MMP9435, MMP9435BDY, MMP9567, MMQ60R070PTH, MMQ60R115PCTH