MPF6660 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPF6660
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de MPF6660 MOSFET
MPF6660 Datasheet (PDF)
Otros transistores... SM7506NF , SM7506NFP , SM7575NSFH , SM7580NSFH , SM8007NSF , SM8008NSU , SM8206ACT , MPF6659 , MMIS60R580P , MPF6661 , MPF930 , MPF960 , MPF990 , VEC2315 , VEC2616 , VN0104N2 , VN0104N3 .
History: NCE60N1K0D | NCE60H28LL | GP2M012A060X | AM7433P | AM7435P | AFN4546 | NCE60H10
History: NCE60N1K0D | NCE60H28LL | GP2M012A060X | AM7433P | AM7435P | AFN4546 | NCE60H10
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053

