VN0104N6 Todos los transistores

 

VN0104N6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VN0104N6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: P-DIP

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VN0104N6 datasheet

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VN0104N6

Supertex inc. VN0104 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, silicon- Low power drive requirement gate manufacturing process. This combination produces a Ease of paralleling device with the power

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 9.2. Size:587K  supertex
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VN0104N6

Supertex inc. VN0106 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, silicon- Low power drive requirement gate manufacturing process. This combination produces a Ease of paralleling device with the power

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History: STB9NK50Z | IRLL2705PBF | APM9946K | LSD60R099HT | IRF352 | STD120N4F6 | FTA07N60

 

 

 

 

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