VN0106N6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VN0106N6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Encapsulados: P-DIP
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VN0106N6 datasheet
vn0106.pdf
Supertex inc. VN0106 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, silicon- Low power drive requirement gate manufacturing process. This combination produces a Ease of paralleling device with the power
vn0104.pdf
Supertex inc. VN0104 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, silicon- Low power drive requirement gate manufacturing process. This combination produces a Ease of paralleling device with the power
Otros transistores... VN0104N5 , VN0104N6 , VN0104N7 , VN0104N9 , VN0104ND , VN0106N2 , VN0106N3 , VN0106N5 , IRF640 , VN0106N7 , VN0106N9 , VN0106ND , VN0109N2 , VN0109N3 , VN0109N5 , VN0109N9 , VN0109ND .
History: VS3622DP2 | WMK11N65SR | WMJ12N105C2 | WMK11N80M3
History: VS3622DP2 | WMK11N65SR | WMJ12N105C2 | WMK11N80M3
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