VN0106N6 Todos los transistores

 

VN0106N6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VN0106N6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: P-DIP
 

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VN0106N6 Datasheet (PDF)

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VN0106N6

Supertex inc. VN0106N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon- Low power drive requirementgate manufacturing process. This combination produces a Ease of parallelingdevice with the power

 9.1. Size:588K  supertex
 vn0104.pdf pdf_icon

VN0106N6

Supertex inc. VN0104N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon- Low power drive requirementgate manufacturing process. This combination produces a Ease of parallelingdevice with the power

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History: FCPF4300N80Z | VN0109N5 | SSM3J133TU | AP09N70P-H | STH6N100 | STP10NA40FI

 

 
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