SM9188DSO MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM9188DSO

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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SM9188DSO datasheet

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SM9188DSO

SM9188DSO Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D S2 20V/6A, S2 G2 RDS(ON)= 27m (max.) @ VGS= 10V RDS(ON)= 30m (max.) @ VGS= 4.5V D S1 RDS(ON)= 35m (max.) @ VGS= 3.1V S1 G1 RDS(ON)= 39m (max.) @ VGS= 2.5V RDS(ON)= 55m (max.) @ VGS= 1.8V Top View of TSSOP-8 Reliable and Rugged (1) (8) ESD Protected D D Lead Free and Green Devices Available (R

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