SM9188DSO Todos los transistores

 

SM9188DSO MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM9188DSO
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SM9188DSO Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  sino
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SM9188DSO

SM9188DSODual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDS2 20V/6A,S2G2RDS(ON)= 27m (max.) @ VGS= 10VRDS(ON)= 30m (max.) @ VGS= 4.5VDS1RDS(ON)= 35m (max.) @ VGS= 3.1VS1G1RDS(ON)= 39m (max.) @ VGS= 2.5VRDS(ON)= 55m (max.) @ VGS= 1.8VTop View of TSSOP-8 Reliable and Rugged(1) (8) ESD ProtectedD D Lead Free and Green Devices Available (R

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