SMC3401 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SMC3401
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SMC3401

SMC3401 Datasheet (PDF)

..1. Size:372K semtron
smc3401.pdf

SMC3401 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC3401 is the P-Channel logic enhancement -30V/-4.3A, RDS(ON) =44m(typ)@VGS =-10V mode power field effect transistor is produced using -30V/-3.5A, RDS(ON) =50m(typ)@VGS =-4.5V high cell density. advanced trench technology to -30V/-2.5A, RDS(ON) =65m(typ)@VGS =-2.5V provide excelle

8.1. Size:369K semtron
smc3407.pdf

SMC3407 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC3407 is the P-Channel logic enhancement -30V/-4.3A, RDS(ON) =44m(typ.)@VGS =-10V mode power field effect transistor is produced using -30V/-3.0A, RDS(ON) =70m(typ.)@VGS =-4.5V high cell density. advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Super high density cell design

8.2. Size:361K semtron
smc3400.pdf

SMC3400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC3400 is the N-Channel logic enhancement 30V/5A, RDS(ON) =25m(typ.)@VGS =10V mode power field effect transistor is produced using 30V/4A, RDS(ON) =28m(typ.)@VGS =4.5V high cell density. advanced trench technology to 30V/3A, RDS(ON) =37m(typ.)@VGS =2.5V provide excellent RDS(ON).lo

8.3. Size:907K cn vbsemi
smc3407s.pdf

SMC3407Swww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-23

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Liste

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