SMC4428 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SMC4428
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 24 nC
Tiempo de subida (tr): 8.9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 251 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SMC4428
SMC4428 Datasheet (PDF)
smc4428.pdf
SMC4428 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC4428 is the N-Channel logic enhancement 30V/20A, RDS(ON) =6m(typ.)@VGS =10V mode power field effect transistor is produced using 30V/16A, RDS(ON) =8m(typ.)@VGS =4.5V high cell density. advanced trench technology to Super high density cell design for extremely low provide excellent R
smc4420.pdf
SMC4420 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC4420 is the N-Channel logic enhancement 30V/14A, RDS(ON) =10m(typ.)@VGS =10V mode power field effect transistor is produced using 30V/12A, RDS(ON) =12m(typ.)@VGS =4.5V high cell density. advanced trench technology to Super high density cell design for extremely low provide excellent
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