SMC8205AS MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SMC8205AS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMC8205AS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 138 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: SOT-23-6L

Búsqueda de reemplazo de SMC8205AS MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SMC8205AS datasheet

..1. Size:499K semtron
smc8205as.pdf pdf_icon

SMC8205AS 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SMC8205AS is the Dual N-Channel logic 20V/6.0A, RDS(ON) =20m (typ.)@VGS =4.5V enhancement mode power field effect transistor 20V/5.2A, RDS(ON) =24m (typ.)@VGS =2.5V which is produced using high cell density. advanced trench technology to provide excellent RDS(ON). Super high densi

6.1. Size:376K semtron
smc8205aw.pdf pdf_icon

SMC8205AW 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SMC8205AW is the Dual N-Channel logic 20V/6.0A, RDS(ON) =21m (typ.)@VGS =4.5V enhancement mode power field effect transistor 20V/5.2A, RDS(ON) =25m (typ.)@VGS =2.5V which is produced using high cell density. advanced trench technology to provide excellent RDS(ON). Super high density ce

Otros transistores... SMC3407, SMC3414, SMC3415A, SMC3535, SMC4420, SMC4428, SMC4738, SMC4812, 60N06, SMC8205AW, SMC8810, SMC8810A, SMC9926, SML0505FN, SML1004R2GXN, SML100B11F, SML100B13F

SMC8205AS Todos los transistores