SMC8205AW MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SMC8205AW
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 142 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SMC8205AW

SMC8205AW Datasheet (PDF)

..1. Size:376K semtron
smc8205aw.pdf

SMC8205AW 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC8205AW is the Dual N-Channel logic 20V/6.0A, RDS(ON) =21m(typ.)@VGS =4.5V enhancement mode power field effect transistor 20V/5.2A, RDS(ON) =25m(typ.)@VGS =2.5V which is produced using high cell density. advanced trench technology to provide excellent RDS(ON). Super high density ce

6.1. Size:499K semtron
smc8205as.pdf

SMC8205AS 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC8205AS is the Dual N-Channel logic 20V/6.0A, RDS(ON) =20m(typ.)@VGS =4.5V enhancement mode power field effect transistor 20V/5.2A, RDS(ON) =24m(typ.)@VGS =2.5V which is produced using high cell density. advanced trench technology to provide excellent RDS(ON). Super high densi

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