SML902R4BN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SML902R4BN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 240 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm

Encapsulados: TO-247

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SML902R4BN datasheet

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SML902R4BN

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SML902R4BN

SML1001RHN SML901RHN0 TO 258 Package Outline. 4TH GENERATION MOSFET Dimensions in mm (Inches) 6.86 (0.270) 6.09 (0.240) 17.65 (0.695) 17.39 (0.685) 1.14 (0.707) N CHANNEL 0.88 (0.035) ENHANCEMENT MODE 4.19 (0.165) HIGH VOLTAGE 3.94 (0.155) Dia. 1 2 3 POWER MOSFETS D 5.08 (0.200) 3.56 (0.140) G BSC BSC 1.65 (0.065) 1.39 (0.055) S Typ. Pin 1 Drain Pin 2 Sourc

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SML902R4BN

SML9030 220M MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL MOS 4.70 5.00 10.41 TRANSISTOR 0.70 10.67 0.90 3.56 Dia. VDSS 50V 3.81 ID(cont) 13.2A RDS(on) 0.15 1 2 3 FEATURES P CHANNEL REPETITIVE AVALANCHE RATED 0.89 DYNAMIC dv/dt RATING 1.14 2.54 2.65 FAST SWITCHING BSC 2.75 EASE OF PARALLELING TO 220 Metal Package SIMPLE DR

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 sml9030-t254 sml9030.pdf pdf_icon

SML902R4BN

SML9030 T254 MECHANICAL DATA P CHANNEL Dimensions in mm (inches) MOS 13.59 (0.535) 6.32 (0.249) 13.84 (0.545) 6.60 (0.260) 3.53 (0.139) 1.02 (0.040) TRANSISTOR Dia. 3.78 (0.149) 1.27 (0.050) VDSS 50V ID(cont) 18A RDS(on) 0.14 1 2 3 FEATURES P CHANNEL REPETITIVE AVALANCHE RATED DYNAMIC dv/dt RATING 0.89 (0.035) 1.14 (0.045) 3.81 (0.150) FAST SWITCHI

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