SMP3003-DL-1E Todos los transistores

 

SMP3003-DL-1E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SMP3003-DL-1E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1000 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
     - Selección de transistores por parámetros

 

SMP3003-DL-1E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  onsemi
 smp3003-dl-1e smp3003-tl-1e.pdf pdf_icon

SMP3003-DL-1E

Ordering number : ENA1655DSMP3003P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 75V, 100A, 8.0m , TO-263-2L/TO-263FeaturesTO-263 ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) 4V drive Input capacitance Ciss=13400pF (typ.)SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS --75 VGate to Source

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SMP3003-DL-1E

SMP3003Ordering number : ENA1655BSANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceSMP3003ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) Input capacitance Ciss=13400pF (typ.) 4V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --75

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SMP3003-DL-1E

SMP3003Ordering number : ENA1655ASANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceSMP3003ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) Input capacitance Ciss=13400pF 4V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --75 VGat

 7.2. Size:322K  onsemi
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SMP3003-DL-1E

Ordering number : ENA1655DSMP3003P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 75V, 100A, 8.0m , TO-263-2L/TO-263FeaturesTO-263 ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) 4V drive Input capacitance Ciss=13400pF (typ.)SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS --75 VGate to Source

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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