SMP3003-DL-1E Todos los transistores

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SMP3003-DL-1E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMP3003-DL-1E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 90 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 75 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 100 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 1000 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1000 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.008 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263

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SMP3003-DL-1E Datasheet (PDF)

1.1. smp3003-dl-e.pdf Size:292K _update_mosfet

SMP3003-DL-1E
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SMP3003 Ordering number : ENA1655B SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device SMP3003 Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) Ω • Input capacitance Ciss=13400pF (typ.) • 4V drive Specifications at Ta=25°C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --75

1.2. smp3003-dl-1e smp3003-tl-1e.pdf Size:201K _update_mosfet

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Ordering number : ENA1655D SMP3003 P-Channel Power MOSFET http://onsemi.com – – Ω 75V, 100A, 8.0m , TO-263-2L/TO-263 Features TO-263 • ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) • 4V drive Ω • Input capacitance Ciss=13400pF (typ.) Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain to Source Voltage VDSS --75 V Gate to Source

 3.1. smp3003.pdf Size:399K _sanyo

SMP3003-DL-1E
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SMP3003 Ordering number : ENA1655A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device SMP3003 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) ? Input capacitance Ciss=13400pF 4V drive Specifications at Ta=25C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --75 V Gate-to-Source

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