VN66AK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VN66AK
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
tonⓘ - Tiempo de encendido: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-39
Búsqueda de reemplazo de VN66AK MOSFET
VN66AK Datasheet (PDF)
tn0601l vn0606l vn66afd.pdf

TN0601L, VN0606L, VN66AFDVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)TN0601L 1.8 @ VGS = 10 V 0.5 to 2 0.47VN0606L 60 3 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.33VN66AFD 3 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 1.46FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 1.2 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface: TTL/CMO
Otros transistores... VN30AB , VN3205N3 , VN3205N8 , VN3515L , VN35AB , VN35AK , VN4012L , VN66AD , EMB04N03H , VN67AB , VN67AD , VN67AFD , VN67AK , VN89AB , VN90AB , VN98AK , VN99AK .
History: S-LBSS84LT1G | TK31N60W5 | AP3P7R0EMT | IRF7328 | STU452S | AP4503BGO-HF | IRF830ALPBF
History: S-LBSS84LT1G | TK31N60W5 | AP3P7R0EMT | IRF7328 | STU452S | AP4503BGO-HF | IRF830ALPBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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