VN67AB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VN67AB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

tonⓘ - Tiempo de encendido: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm

Encapsulados: TO-39

 Búsqueda de reemplazo de VN67AB MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VN67AB datasheet

 ..1. Size:117K  njs
 vn30ab vn35ab vn67ab vn89ab vn90ab.pdf pdf_icon

VN67AB

 9.1. Size:85K  njs
 vn67ad vn67afd.pdf pdf_icon

VN67AB

 9.2. Size:115K  njs
 vn35ak vn66ak vn67ak vn98ak vn99ak.pdf pdf_icon

VN67AB

Otros transistores... VN3205N3, VN3205N8, VN3515L, VN35AB, VN35AK, VN4012L, VN66AD, VN66AK, IRF9640, VN67AD, VN67AFD, VN67AK, VN89AB, VN90AB, VN98AK, VN99AK, VNS008A