VS-FA40SA50LC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS-FA40SA50LC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 543 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 280 nC
   Tiempo de subida (tr): 33 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1600 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-227

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VS-FA40SA50LC Datasheet (PDF)

..1. Size:280K vishay
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VS-FA40SA50LCwww.vishay.comVishay SemiconductorsPower MOSFET, 40 AFEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low drain to case capacitance Low internal inductanceSOT-227 UL approved file E78996 Designed for industrial level Materi

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VS-FA72SA50LCwww.vishay.comVishay SemiconductorsPower MOSFET, 72 AFEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low gate charge deviceSOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL approved file E78996 Designed for

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Liste

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