VS-FA40SA50LC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS-FA40SA50LC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 543 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: SOT-227

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VS-FA40SA50LC datasheet

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VS-FA40SA50LC

VS-FA40SA50LC www.vishay.com Vishay Semiconductors Power MOSFET, 40 A FEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low drain to case capacitance Low internal inductance SOT-227 UL approved file E78996 Designed for industrial level Materi

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VS-FA40SA50LC

VS-FA72SA50LC www.vishay.com Vishay Semiconductors Power MOSFET, 72 A FEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low gate charge device SOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL approved file E78996 Designed for

Otros transistores... VP2110, VP2206N2, VP2206N3, VP2450N3, VP2450N8, VP3203N3, VP3203N8, VP5225, IRF3710, VS-FA72SA50LC, VS-FB190SA10, VS-FC220SA20, VS-FC80NA20, VT6J1, VT6K1, VT6M1, HAF1002L