VS-FA40SA50LC Todos los transistores

 

VS-FA40SA50LC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS-FA40SA50LC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 543 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 280 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-227
     - Selección de transistores por parámetros

 

VS-FA40SA50LC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:280K  vishay
 vs-fa40sa50lc.pdf pdf_icon

VS-FA40SA50LC

VS-FA40SA50LCwww.vishay.comVishay SemiconductorsPower MOSFET, 40 AFEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low drain to case capacitance Low internal inductanceSOT-227 UL approved file E78996 Designed for industrial level Materi

 9.1. Size:306K  vishay
 vs-fa72sa50lc.pdf pdf_icon

VS-FA40SA50LC

VS-FA72SA50LCwww.vishay.comVishay SemiconductorsPower MOSFET, 72 AFEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low gate charge deviceSOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL approved file E78996 Designed for

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