VS-FC220SA20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS-FC220SA20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 789 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 220 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5.1 V
   Carga de la puerta (Qg): 350 nC
   Tiempo de subida (tr): 245 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1600 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-227

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VS-FC220SA20 Datasheet (PDF)

..1. Size:280K vishay
vs-fc220sa20.pdf

VS-FC220SA20www.vishay.comVishay SemiconductorsSOT-227 Power Module Single Switch - Power MOSFET, 220 AFEATURES Enhanced body diode dV/dt and dIF/dt capability Improved gate avalanche and dynamic dV/dt ruggedness Fully characterized capacitance and avalanche SOA Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Simple drive requirem

9.1. Size:336K vishay
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VS-FC80NA20www.vishay.comVishay SemiconductorsSOT-227 Power Module High Side Chopper - Power MOSFET, 100 AFEATURES3 (D)MOSFET Enhanced body diode dV/dt and dIF/dt capability Improved gate avalanche and dynamic dV/dt 2 (G)ruggedness1 Fully characterized capacitance and avalanche SOA(S, K) Fully isolated packageSOT-227 Easy to use and parallel

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Liste

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