HCT7000M Todos los transistores

 

HCT7000M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCT7000M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 40 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 25 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 5 Ohm

Empaquetado / Estuche: LCC

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HCT7000M Datasheet (PDF)

1.1. hct7000m hct7000mtxv.pdf Size:184K _update_mosfet

HCT7000M
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Product Bulletin HCT7000M January 1996 N-Channel Enhancement Mode MOS Transistor Type HCT7000M, HCT7000MTX, HCT7000MTXV Features Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V •200mA I D Gate-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 
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