HCT7000M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HCT7000M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 40 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
Paquete / Cubierta: LCC
Búsqueda de reemplazo de HCT7000M MOSFET
HCT7000M PDF Specs
hct7000m hct7000mtxv.pdf
Product Bulletin HCT7000M January 1996 N-Channel Enhancement Mode MOS Transistor Type HCT7000M, HCT7000MTX, HCT7000MTXV Features Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V 200mA I D Gate-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .... See More ⇒
hct70r910.pdf
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hct70r1k1.pdf
August 2020 HCT70R1K1 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 4.5 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 1.1 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 9.3 nC Application Package & Internal Circuit Switch Mode Power... See More ⇒
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Liste
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