HFD2N65S Todos los transistores

 

HFD2N65S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFD2N65S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK
 

 Búsqueda de reemplazo de HFD2N65S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HFD2N65S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:257K  semihow
 hfd2n65s.pdf pdf_icon

HFD2N65S

Mar 2010BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 5.0 HFD2N65S / HFU2N65SID = 1.6 A650V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK22FEATURES113 23 Originative New DesignHFD2N65S HFU2N65S Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 6.0 nC (Typ.

 7.1. Size:199K  semihow
 hfd2n65u.pdf pdf_icon

HFD2N65S

Nov 2013BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 5 HFD2N65U / HFU2N65U ID = 1.8 A650V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD2N65U HFU2N65U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 5.5 nC (Ty

 8.1. Size:381K  semihow
 hfd2n60u hfu2n60u.pdf pdf_icon

HFD2N65S

June 2015BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 4 HFD2N60U / HFU2N60U ID = 1.8 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD2N60U HFU2N60U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 5.5 nC (T

 8.2. Size:199K  semihow
 hfd2n60u.pdf pdf_icon

HFD2N65S

Jan 2014BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 4 HFD2N60U / HFU2N60U ID = 1.8 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD2N60U HFU2N60U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 5.5 nC (Ty

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... HFB1N60S , HFB1N65S , HFB1N70S , HFD1N60S , HFD1N65S , HFD2N60 , HFD2N60S , HFD2N60U , 75N75 , HFD2N65U , HFD2N70S , HFD2N90 , HFD3N80 , HFD4N50 , HFD5N40 , HFD5N50S , HFD5N50U .

History: SLU60R380S2 | TPW65R075DFD | PMGD780SN | H5N3003P | AP3N1R7MT | MS65R120C | LND10R040W3

 

 
Back to Top

 


 
.