HFD6N60U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFD6N60U
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 95 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.66 Ohm
Paquete / Cubierta: D-PAK
Búsqueda de reemplazo de HFD6N60U MOSFET
HFD6N60U Datasheet (PDF)
hfd6n60u.pdf
Jan 2014BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFD6N60U / HFU6N60U ID = 4.8 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD6N60U HFU6N60U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 16.0 n
hfd6n65u.pdf
Jan 2014BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFD6N65U / HFU6N65U ID = 4.8 A650V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD6N65U HFU6N65U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 16.0 nC
hfd6n70u.pdf
Jan 2014BVDSS = 700 VRDS(on) typ HFD6N70U / HFU6N70U ID = 4.8 A700V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD6N70U HFU6N70U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 16.0 nC
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History: 5N65KG-TF2-T
History: 5N65KG-TF2-T
Liste
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